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歡迎訪問(wèn)北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司網(wǎng)站
產(chǎn)品型號(hào):華測(cè)系列
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
所在地:北京市
更新日期:2024-12-02
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
品牌 | 華測(cè) |
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01.電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))
由能量密度可知,擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于介電常數(shù)對(duì)于材料能量密度的影響更為突出,獲得高能量密度對(duì)復(fù)合材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)提出了更高的要求。
通過(guò)上位機(jī)系統(tǒng)控制高壓擊穿測(cè)試模塊,可以安全、便捷、準(zhǔn)確的對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗(yàn),測(cè)試出擊穿場(chǎng)強(qiáng)。甚至可以通過(guò)測(cè)試軟件設(shè)置直流輸出時(shí)間,以完成樣品的極化過(guò)程。
02.高低頻介電頻譜、溫譜
用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲(chǔ)能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量,同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。
03.高溫絕緣電阻
高精度的電壓輸出與電流測(cè)量,即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流,保障測(cè)試品質(zhì),適用與儲(chǔ)能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測(cè)。
04.熱釋電測(cè)試
不論是薄膜還是塊體形式的儲(chǔ)能材料,都可對(duì)其進(jìn)行熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量,材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。
05.TSDC熱刺激極化電流
熱刺激電流(TSC)是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運(yùn)輸特性的工具,同時(shí)也是研究熱點(diǎn)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運(yùn)動(dòng)的重要手段。諸如:分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等,通過(guò)TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)介電特性、
06.充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試
用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能,同目前常見(jiàn)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷釋放至高壓源上,而非釋放至負(fù)載上,也就是說(shuō),通過(guò)電滯回線測(cè)得的能量密度會(huì)大與樣品實(shí)際釋放的能量密度,不能正確評(píng)估儲(chǔ)能材料的正常放電性能。華測(cè)充放電測(cè)試具有專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量,首先將測(cè)試材料充電到給定電壓,之后通過(guò)閉合高速MOS高壓開(kāi)關(guān),將存儲(chǔ)在儲(chǔ)能材料中的能量釋放到電阻器負(fù)載中,更符合電介質(zhì)充放電原理。
07.電聲脈沖法空間電荷測(cè)量
空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)所導(dǎo)致的,在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積,從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)??臻g電荷的存在對(duì)材料的電學(xué)性能有著重要的影響,可能導(dǎo)致電場(chǎng)畸變、絕緣性能下降等問(wèn)題。
電聲脈沖法(PEA)空間電荷測(cè)試可以便捷準(zhǔn)確地測(cè)量固體儲(chǔ)能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測(cè)量較厚的介質(zhì),可以在帶電狀態(tài)下直接測(cè)量絕緣測(cè)試樣品中的空間電荷分布,最小可測(cè)空間電荷密度為4μC·cm-3,最小可測(cè)試樣厚度為0.2mm。
08.靜電電壓
靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷,雖然其總電荷量不大,但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對(duì)周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對(duì)儲(chǔ)能材料的靜電性能(包括面電荷密度與電阻)進(jìn)行測(cè)試,可以對(duì)后期防靜電工程設(shè)計(jì)和改善儲(chǔ)能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持,對(duì)周?chē)娐返撵o電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。
功能 | 測(cè)試儀表 | 測(cè)試環(huán)境配件/夾具 | ||
電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng)) | 高壓電源 | 變溫油浴槽 溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能) | ||
高低頻介電溫譜 | 阻抗分析儀 | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍:-185℃~600℃ | 高溫近紅外爐 溫度范圍:RT~1450℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍:-185℃~450℃ |
高溫絕緣電阻測(cè)試 | 高阻計(jì)/源表 | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍:-185℃~600℃ | 高溫近紅外爐 溫度范圍:RT~1450℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍:-185℃~450℃ |
熱釋電測(cè)試 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍:-185℃~600℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍:-185℃~450℃ | |
TSDC熱刺激電流測(cè)試 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍:-185℃~600℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍:-185℃~450℃ | |
充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試 | 充放電測(cè)試模塊 | 變溫測(cè)試盒 溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能) | ||
靜電電壓 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 靜電變溫測(cè)試罐 溫度范圍: | ||
空間電荷測(cè)試 | 示波器+高壓電源+功率放大器 | 電聲脈沖法空間電荷測(cè)試夾具 |
拓展資料
能量密度常用計(jì)算公式:
式中:Uc為電容器的充電能量密度;Ud為電容器的實(shí)際放電能量密度;E為外加電場(chǎng);D為電位移;Dmax為最大電位移;Dr為剩余電位移;ε0為電介質(zhì)的真空介電常數(shù);εr為電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù);Eb為擊穿場(chǎng)強(qiáng);η為充放電效率。
儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/靜電電壓